كشفت شركة Samsung النقاب عن وحدة ذاكرة وصول عشوائي جديدة توضح إمكانات ذاكرة DDR5 من حيث السرعة والسعة.
يهدف معيار DDR5 ، معيار DRAM الجديد ، إلى تلبية الاحتياجات المتزايدة لأجهزة الكمبيوتر العملاقة والذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي وتطبيقات تحليل البيانات.
قالت شركة Samsung إن وحدة 512GB DDR5 هي الأولى التي تستخدم تقنية معالجة HKMG ، حيث توفر سرعات تصل إلى 7200 ميجابت في الثانية ، أي أكثر من ضعف سرعة DDR4.
يستهدف هذا الجهاز حاليًا أجهزة الكمبيوتر العملاقة المتعطشة للبيانات والذكاء الاصطناعي ووظائف التعلم الآلي ، لكن DDR5 سيجد طريقه إلى أجهزة الكمبيوتر والألعاب والتطبيقات الأخرى.
استخدمت Samsung لأول مرة HKMG في عام 2018 مع شرائح GDDR6 المستخدمة في وحدات معالجة الرسومات.
من خلال توسيع استخدام DDR5 ، تؤسس Samsung ريادتها في تقنيات الجيل التالي من DRAM.
تم تطوير عملية HKMG بواسطة Intel وتستخدم الهافنيوم بدلاً من السيليكون ، مع استبدال المعدن بأقطاب بوابة البولي سيليكون التقليدية ، مما يؤدي إلى كثافة قالب أعلى وتقليل تيار التسرب.
تستخدم كل شريحة ثماني طبقات من شرائح DRAM بسعة 16 جيجابايت لتوفير سعة تخزين قصوى تبلغ 512 جيجابايت ، وبالتالي تحتاج سامسونج إلى 32 شريحة لإنشاء وحدة ذاكرة وصول عشوائي بسعة 512 جيجابايت.
بالإضافة إلى السرعة والسعة الأسرع ، وفقًا لشركة Samsung ، تستخدم هذه الشريحة طاقة أقل بنسبة 13 في المائة من الأجهزة التي لا تحتوي على تقنية HKMG وهي مثالية لمراكز البيانات.
مع 7200 ميجابت في الثانية ، يوفر أحدث جهاز من Samsung سرعات نقل تبلغ حوالي 57.6 جيجابايت في الثانية عبر قناة واحدة.
في بيان صحفي من سامسونج ، أشارت إنتل إلى أن الذاكرة ستكون متوافقة مع الجيل القادم من معالجات Sapphire Rapids Xeon Scalable.
تستخدم هذه البنية وحدة تحكم في الذاكرة DDR5 من ثماني قنوات ، حتى نتمكن من رؤية تكوينات ذاكرة متعددة تيرابايت مع معدلات نقل ذاكرة تصل إلى 460 جيجابايت في الثانية.
وفي الوقت نفسه ، يمكن أن تصل أجهزة الكمبيوتر الاستهلاكية الأولى في عام 2022 عندما تكشف AMD عن منصة Zen 4 الخاصة بها ، والتي يشاع أنها تدعم DDR5.
تشتمل ذاكرة DDR5 من سامسونج أيضًا على تقنية ECC لتحسين الموثوقية ، حيث يُتوقع أن تساعد الأجهزة في تشغيل أجهزة الحوسبة اللازمة في الأبحاث الطبية والأسواق المالية والقيادة المستقلة والمدن الذكية ، من بين أمور أخرى.